1.下取物臂將待切割材料從晶片盒中取出，將待切割材料放置到預校準臺進行預校準，再送到工作盤上，進行劃片作業。
2. 上取物臂從工作盤將切割完成的材料移動到清洗盤上，進行二流體清洗和晶片干燥。
3 .下取物臂將切割完成的材料放回預校準臺進行預校準，再推回晶片盒中。
使用條件：
1. 請將機器設在20~25℃的環境中（波動范圍控制在±1℃以內）；室內濕度40%~60%，保持恒定，無凝結。
2. 請使用大氣壓露點在-15℃以下，殘余油份為0.1ppm，過濾度在0.01um/99.5以上的清潔壓縮空氣。
3. 請將切削水的水溫控制為室溫+2℃（波動范圍在±1℃以內），冷卻水的水溫控制為與室溫相同（波動范圍控制在±1℃以內）。
4. 請避免設備受到重力撞擊以及外界任何振動威脅。另外，請不要將設備裝在鼓風機、通風口、產生高溫的裝置以及產生油污的裝置附近。
5.請把本設備安裝在有防水性地板以及有排水處理的場所。
6.請嚴格按照本公司產品使用說明書進行操作。
應用領域：IC、光學光電、通訊、LED封裝、QFN封裝、DFN封裝、BGA封裝
可精密切割材料：
硅片、鈮酸鋰、陶瓷、玻璃、石英、氧化鋁、PCB板
| 配置與性能 | 加工尺寸 | mm | φ12"∣□275 |
| 切槽深度 | mm | ≦4mm或定制 |
| 主軸 | 轉速范圍 | min-₁ | 6000～60000 |
| 額定輸出功率 | KW | 直流.2.4at60000min-₁ |
| X軸 | 有效行程 | mm | 310 |
| 速度設定范圍 | mm/s | 0.1～1000 |
| Y軸 | 有效行程 | mm | 310 |
| 運動分辨率 | mm | 0.0001 |
| 單一定位精度 | mm | ≦0.002/5 |
| 全程定位精度 | mm | 0.005/310 |
| Z軸 | 有效行程 | mm | 40 |
| 最大適用刀片 | mm | φ58 |
| 行程分辨率 | mm | 0.00005 |
| 重復定位精度 | mm | 0.001 |
| θ軸 | 轉角范圍 | deg | 380 |
| 基礎規格 | 電源 | kVA | 7.0（三相，AC380V） |
| 耗電量（參考值） | kw |
|
| 壓縮空氣 | Mpa
L/min | 0.5～0.6
最大消耗量550 |
| 切削水 | Mpa
L/min | 0.2﹣0.3
最大消耗量9.0 |
| 冷卻水 | Mpa
L/min | 0.2﹣0.3
最大消耗量3.0 |
| 排風量 | m2/min | 800 |
| 尺寸W*D*H | mm | 1200*1550*1800 |
| 重量 | kg | 2000 |
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0769-85842101